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40V/80A TO-252 N Modo de mejora del canal Potencia MOSFET JY4N8M

40V/80A TO-252 N Modo de mejora del canal Potencia MOSFET JY4N8M

  • 40V/80A TO-252 N Modo de mejora del canal Potencia MOSFET JY4N8M
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40V/80A TO-252 N Modo de mejora del canal Potencia MOSFET JY4N8M
Datos del producto:
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: JEUNKEI
Certificación: ISO9001,CE
Número de modelo: JY4N8M
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 50pcs (muestra disponible)
Precio: USD0.5-USD1/PC
Detalles de empaquetado: habitación para la exportación
Tiempo de entrega: dependa de la cantidad /Negotiable de la orden
Condiciones de pago: T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente: 30000 piezas por mes
Contacto
Descripción detallada del producto
nombre: MOSFET del poder Modelo no.: JY4N8M
Tipo: Canal N Voltaje de la Dren-fuente: 40 V
Voltaje de la Puerta-fuente: ± 20 V Corriente continua del dren: El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef
Corriente pulsada del dren: 350A Disipación de potencia máxima: 80W
Recuperación del cuerpo inverso: - ¿ Qué?
Resaltar:

MOSFET de potencia 80A

,

MOSFET de potencia de 40 V

Descripción general:

 

Características:

 

El JY4N8M utiliza las últimas técnicas de procesamiento de zanjas para lograr la alta densidad de células y reduce la resistencia de encendido con una baja carga de puerta.Estas características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para su uso en la aplicación de conmutación de energía y una amplia variedad de otras aplicaciones.

 

Aplicaciones:

 

● 40V/80A, RDS ((ON) ≤6,5mΩ@VGS=10V
● Cambio rápido y recuperación del cuerpo al revés
● Tensión y corriente de avalancha completamente caracterizadas
● Excelente paquete para una buena disipación de calor

 

Descripción del PIN:

 

40V/80A TO-252 N Modo de mejora del canal Potencia MOSFET JY4N8M 0

 

Las calificaciones máximas absolutas ((Tc=25°C a menos que se indique lo contrario)

 

El símbolo Parámetro Límites Unidad
V.D.S. Voltado de la fuente de drenaje 40 V.
V.GS Voltado de la fuente de la puerta ± 20 V.
Yo...D Corriente de drenaje continua Tc=25°C 80 A. No
Tc=100°C 55
Yo...El DM Corriente de drenaje pulsado 350 A. No
PD Disposición máxima de energía 80 No
T.J.T.Sector de la salud Intervalo de temperatura de las uniones de funcionamiento y de almacenamiento -55 ~ +175 °C
REl JJC Resistencia térmica-junción con el estuche 1.88 °C/W
REl TJA Resistencia térmica-junción con el ambiente 92

 

Esquema del paquete:

 

40V/80A TO-252 N Modo de mejora del canal Potencia MOSFET JY4N8M 1

El símbolo Dimensiones en milímetros Dimensiones en pulgadas
- ¿Qué es eso? - ¿Qué quieres decir? - ¿Qué es eso? - ¿Qué quieres decir?
A. No 2.200 2.400 0.087 0.094
A1 0.000 0.127 0.000 0.005
b 0.660 0.860 0.026 0.034
c 0.460 0.580 0.018 0.023
D 6.500 6.700 0.256 0.264
D1 5.100 5.460 0.201 0.215
D2 0.483 tipo. 0.190 tipo.
- ¿ Por qué? 6.000 6.2000 0.236 0.244
El 2.186 2.386 0.086 0.094
- ¿ Qué? 9.800 10.400 0.386 0.409
L1 2.900 TYP 0.114 tipo.
L2 1.400 1.700 0.055 0.067
L3 1.600 TYP 0.063 tipo.
L4 0.600 1.000 0.024 0.039
¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡¡ 1.100 1.300 0.043 0.051
El
h 0.000 0.300 0.000 0.012
V 5.350 tipo. 0.211 tipo.


Para obtener más información sobre los productos, póngase en contacto directamente con nosotros por correo electrónico: ivanzhu@junqitrading.com

 

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Persona de Contacto: Ivanzhu

Teléfono: 0086-13961407941

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