Descripción general: Características: El JY4N8M utiliza las últimas técnicas de procesamiento de zanjas para lograr la alta densidad de células y reduce la resistencia de encendido con una baja carga de puerta... Leer más
Descripción general: El JY4P7M utiliza las últimas técnicas de procesamiento de zanjas para lograr la alta densidad de células y reduce la resistencia de encendido con una baja carga de puerta.Estas caracter... Leer más
Descripción generalEl producto es un MOSFET de alta tensión y alta velocidad de potencia y un controlador IGBT basado en el proceso P-SUB P-EPI.El conductor de canal flotante se puede utilizar para conducir dos ... Leer más
MOSFET de 40 V del canal N y P de JY13M Descripciones generales: El JY13M es un transistor de campo de potencia de modo de mejora de la lógica del canal N y P que puede proporcionar una excelente carga RDS ((ON... Leer más
Descripción general: El JY09M utiliza las últimas técnicas de procesamiento de zanjas para lograr la alta densidad de células y reduce la resistencia de encendido con una baja carga de puerta.Estas caracter... Leer más
Descripción: El JY213H es un MOSFET de alta velocidad y un controlador IGBT con tres canales de salida referenciados de alto y bajo lado independientes para el controlador de puerta de 3 fases.Protección de ... Leer más
Descripción general: El JY11M utiliza las últimas técnicas de procesamiento de trincheras para lograr la alta densidad de células y reduce la resistencia de encendido con un alto índice de avalancha repetitiva... Leer más
Descripción: El JY213L es un controlador de puertas de alta velocidad de 3 fases para dispositivos MOSFET e IGBT de potencia con tres canales de salida referenciados de lado alto y bajo independientes.Protecci... Leer más
Descripción general: El producto utiliza las técnicas de procesamiento planar avanzadas para lograr la alta densidad de células y reduce la resistencia de encendido con una alta clasificación de avalancha ... Leer más
Descripciones generales: El JY12M es el modo de mejora de la lógica del canal N y P. Los transistores de campo de potencia se producen utilizando tecnología de zanja DMOS de alta densidad celular.Este proceso ... Leer más