JY09M N MOS IC de mejora de canal MOS TO-220 70V 90A MOSFET de potencia

Datos del producto:

Lugar de origen:	China
Nombre de la marca:	JEUNKEI
Certificación:	ISO9001,CE
Número de modelo:	JY09M

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	100pcs (muestra disponible)
Precio:	Negociable
Detalles de empaquetado:	habitación para la exportación
Tiempo de entrega:	dependa de la cantidad /Negotiable de la orden
Condiciones de pago:	T/T, Paypal
Capacidad de la fuente:	1000 piezas por día

Contacto

Descripción detallada del producto

Nombre:	MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N	Modelo no.:	JY09M
El tipo:	Canal N	Voltaje de la Dren-fuente:	70V
Corriente continua del dren:	90A (Tc=25°C)	Disipación de potencia máxima:	162W
Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento:	-55°C~+175°C
Resaltar:	JY09M modo de mejora de la potencia mosfet , MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N , MOSFET de potencia en modo de mejora de 70V a 90A

Descripción general:

El JY09M utiliza las últimas técnicas de procesamiento de zanjas para lograr la alta densidad de células y reduce la resistencia de encendido con una baja carga de puerta.Estas características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para su uso en la aplicación de conmutación de energía y una amplia variedad de otras aplicaciones.

Características:

● 70V/90A, RDS ((ON) ≤6,8mΩ@VGS=10V
● Cambio rápido y recuperación del cuerpo al revés
● Tensión y corriente de avalancha completamente caracterizadas
● Excelente paquete para una buena disipación de calor

Aplicaciones:

● Aplicación de conmutación de energía
● Circuitos de alta frecuencia y con interruptores duros
● Fuente de energía ininterrumpida

Descripción del PIN:

Las calificaciones máximas absolutas ((Tc=25°C a menos que se indique lo contrario):

El símbolo	Parámetro		Límites	Unidad
V.D.S.	Voltado de la fuente de drenaje		70	V.
V.GS	Voltado de la fuente de la puerta		± 20	V.
Yo...D	Corriente de drenaje continua	TC=25°C	90	A. No
Yo...D	Corriente de drenaje continua	TC=100°C	65	A. No
Yo...El DM	Corriente de drenaje pulsado		315	A. No
PD	Disposición máxima de energía		162	No
T.J.T.Sector de la salud	Intervalo de temperatura de las uniones de operación y almacenamiento		-55 ~ +175	°C
REl JJC	Resistencia térmica-junción con el estuche		0.85	°C/W
REl JJC	Resistencia térmica-junción con el ambiente		62.5	°C/W

JY09M N MOS IC de mejora de canal MOS TO-220 70V 90A MOSFET de potencia 1

TO220-3 Esquema del paquete

SÍMBOLO	En el caso de los			En el caso de las empresas de la Unión Europea			SÍMBOLO	En el caso de los			En el caso de las empresas de la Unión Europea
SÍMBOLO	En el caso de las	Nombre	Se trata de:	En el caso de las	Nombre	Se trata de:	SÍMBOLO	En el caso de las	Nombre	Se trata de:	En el caso de las	Nombre	Se trata de:
A. No	4.40	4.57	4.70	0.173	0.180	0.185	Øp1	1.40	1.50	1.60	0.055	0.059	0.063
A1	1.27	1.30	1.33	0.050	0.051	0.052	El	2.54BSC			0.1BSC
A2	2.35	2.40	2.50	0.093	0.094	0.098	E1 y	5.08BSC			0.2BSC
b	0.77	-	0.90	0.030	-	0.035	H1	6.40	6.50	6.60	0.252	0.256	0.260
b2	1.23	-	1.36	0.048	-	0.054	- ¿ Qué?	12.75	-	13.17	0.502	-	0.519
C. Las	0.48	0.50	0.52	0.019	0.020	0.021	L1	-	-	3.95	-	-	0.156
D	15.40	15.60	15.80	0.606	0.614	0.622	L2	250REF. ¿Qué quiere decir?			0.098REF. ¿Qué quiere decir?
D1	9.00	9.10	9.20	0.354	0.358	0.362	Øp	3.57	3.60	3.63	0.141	0.142	0.143
El DEP	0.05	0.10	0.20	0.002	0.004	0.008	- ¿ Qué?	2.73	2.80	2.87	0.107	0.110	0.113
- ¿ Por qué?	9.70	9.90	10.10	0.382	0.389	0.398	T1	5°	7°	9°	5°	7°	9°
E1	-	8.70	-	-	0.343	-	Θ2	1°	3°	5°	1°	3°	5°
E2	9.80	10.00	10.20	0.386	0.394	0.401