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MOSFET JY11M para circuitos con conmutación dura y de alta frecuencia

MOSFET JY11M para circuitos con conmutación dura y de alta frecuencia

  • MOSFET JY11M para circuitos con conmutación dura y de alta frecuencia
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MOSFET JY11M para circuitos con conmutación dura y de alta frecuencia
Datos del producto:
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: JEUNKEI
Certificación: ISO9001,CE
Número de modelo: JY11M
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 50pcs (muestra disponible)
Precio: USD0.5-USD1/PC
Detalles de empaquetado: habitación para la exportación
Tiempo de entrega: dependa de la cantidad /Negotiable de la orden
Condiciones de pago: T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente: 1000 piezas por día
Contacto
Descripción detallada del producto
Nombre: MOSFET del canal N Modelo no.: JY11M
El tipo: Canal N Voltaje de la Dren-fuente: El valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de CO2 de las centrales eléctricas.
Voltaje de la Puerta-fuente: ± 20 V Corriente continua del dren: 110A ((Tc=25°C)
Disipación de potencia máxima: 210W Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento: -55 ~ +175 °C
Recuperación del cuerpo inverso: - ¿ Qué?
Resaltar:

Modo de potencia de mejora mosfet Canal N

,

modo de potencia de mejora mosfet JY11M

,

MOSFET de potencia en modo de mejora

Descripción general:


El JY11M utiliza las últimas técnicas de procesamiento de trincheras para lograr la alta densidad de células y reduce la resistencia de encendido con un alto índice de avalancha repetitiva.
Las características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para su uso en aplicaciones de conmutación de energía y una amplia variedad de otras aplicaciones.


 Características:

 

● 100V/110A, RDS ((ON) = 6.5mΩ@VGS=10V
● Cambio rápido y recuperación del cuerpo al revés
● Tensión y corriente de avalancha completamente caracterizadas
● Excelente paquete para una buena disipación de calor

 

Aplicaciones:

 

● Cambiar de aplicación
● Circuitos de alta frecuencia y con interruptores duros
● Gestión de la energía para sistemas de inversores

 

Descripción del PIN:

 

MOSFET JY11M para circuitos con conmutación dura y de alta frecuencia 0

Calificaciones máximas absolutas ((Tc=25°C a menos que se indique lo contrario):

 

El símbolo Parámetro Límites Unidad
V.D.S. Voltado de la fuente de drenaje 100 V.
V.GS Voltado de la fuente de la puerta ± 20 V.
Yo...D Corriente de drenaje continua TC=25°C 110 A. No
TC=100°C 82
Yo...El DM Corriente de drenaje pulsado 395 A. No
PD Disposición máxima de energía 210 No
T.J.T.Sector de la salud Intervalo de temperatura de las uniones de funcionamiento y de almacenamiento -55 ~ +175 °C
REl JJC Resistencia térmica-junción con el estuche 0.65 °C/W
RθJA
Resistencia térmica-junción con el ambiente 62

 

TO220-3 Esquema del paquete:

MOSFET JY11M para circuitos con conmutación dura y de alta frecuencia 1
 

El símbolo En el caso de los pulgadas El símbolo En el caso de los pulgadas
- ¿ Qué? Nombre - ¿ Qué es? - ¿ Qué? Nombre - ¿ Qué es? - ¿ Qué? Nombre - ¿ Qué es? - ¿ Qué? Nombre - ¿ Qué es?
A. No 4.40 4.57 4.70 0.173 0.180 0.185 Øp1 1.40 1.50 1.60 0.055 0.059 0.063
A1 1.27 1.30 1.33 0.050 0.051 0.052 El 2.54BSC 0.1BSC
A2 2.35 2.40 2.50 0.093 0.094 0.098 E1 y 5.08BSC 0.2BSC
b 0.77 - 0.90 0.030 - 0.035 H1 6.40 6.50 6.60 0.252 0.256 0.260
b2 1.23 - 1.36 0.048 - 0.054 - ¿ Qué? 12.75 - 13.17 0.502 - 0.519
C. Las 0.48 0.50 0.52 0.019 0.020 0.021 L1 - - 3.95 - - 0.156
D 15.40 15.60 15.80 0.606 0.614 0.622 L2 2.50REF. ¿Qué es eso? 0.098REF. ¿Qué quiere decir?
D1 9.00 9.10 9.20 0.354 0.358 0.362 Øp 3.57 3.60 3.63 0.141 0.142 0.143
El DEP 0.05 0.10 0.20 0.002 0.004 0.008 - ¿ Qué? 2.73 2.80 2.87 0.107 0.110 0.113
- ¿ Por qué? 9.70 9.90 10.10 0.382 0.389 0.398 T1
E1 - 8.7 - - 0.343 - Θ2
E2 9.80 10.00 10.20 0.386 0.94 0.401              

 

 

Para obtener más información, póngase en contacto con nosotros directamente por correo electrónico: ivanzhu@junqitradinig.com

 

 

 

 

 

 

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Persona de Contacto: Ivanzhu

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